Micro LED CPO从单点研发走向全链条卡位，多家中国大陆芯片厂进入客户验证

Micro LED技术正在显示之外找到第二战场。近期产业信息显示，Micro LED CPO（共封装光学）已从单点研发走向全链条卡位：多家中国大陆芯片与封装企业的相关产品进入客户验证或工程试制阶段，中国台湾厂商则给出了明确的商用时间表，这条新兴技术路线正把宽而慢的并行架构变成AI数据中心机柜内最后一段互连的备选答案。

能耗是这一路线的核心卖点。行业数据显示，Micro LED CPO方案整体能耗可降至铜缆方案的5%，相较硅光CPO也能降低50%以上；在1.6Tbps速率下，整体功耗有望从约30瓦压至1.6瓦左右。该路径绕开了传统光互连对复杂DSP、ADC/DAC与CDR电路的依赖，把竞争焦点从单通道能跑多快转向系统能效能做到多低。

光源芯片环节，中国大陆企业是主力。三安光电表示面向CPO应用的Micro LED等光芯片已送样国内外头部企业进行模组组装验证；京东方华灿建成全球首条6英寸Micro LED产线，通信级芯片样品已交付客户测试；聚灿光电与中科院苏州纳米所共建光互连Micro-LED联合实验室，CPO阵列芯片完成首批样品并送样海外重要客户；兆驰股份400G与800G并行光收发模块完成样机并进入工程小批量试制。带宽方面，京东方华灿与南京大学联合团队在0.4kA/cm2电流密度下把蓝光Micro LED单通道调制带宽提升至3.0GHz、传输功耗低至0.25pJ/bit。

载板与封装是另一条支线。京东方今年7月成立Micro LED光互联与玻璃基CPO专项攻关组，联合康宁开发TGV玻璃CPO载板；沃格光电TGV玻璃载板完成1.6T规格小批量送样；雷曼光电与南方科技大学纳米院签署产学研合作，主攻巨量转移与光学耦合方案。海外与中国台湾侧则聚焦系统集成：Avicena 8月出货全球首款1Tbps评估套件，由ams OSRAM供应GaN Micro LED阵列、台积电代工硅基光电探测器阵列；友达光电设立专项研究院，单通道1.25Gbps并行扩展至800Gbps，预计2至3年实现商用。

业内分析认为，Micro LED CPO的产业意义在于为显示产业链的技术能力提供了变现出口：巨量转移、TGV玻璃加工、GaN外延等原本服务于显示的技术，在光互连场景找到了对良率和一致性要求同样苛刻但溢价更高的市场。随着AI算力集群规模继续膨胀，机柜内互连的能耗与带宽矛盾将进一步放大，Micro LED CPO有望在未来三到五年内从评估走向规模部署。

图：Micro LED CPO从单点研发走向全链条卡位，多家中国大陆芯片厂进入客户验证（图片来源：本刊编辑部整理）